【TechWeb】1月29日音讯，据外国媒体报导，自1993年商场占有率超越东芝以来，三星电子在随后的30年，一直是全球最大的DRAM制造商，商场占有率要显着高于其他厂商。

　　罢了接连30年是全球最大DRAM厂商的三星电子，仍在不断开发新的技能、新的产品，以坚持他们在这一范畴的优势。外媒最新的报导就显现，三星电子已在硅谷，新设研制实验室，专心于下一代3D DRAM的研制。

　　外媒是征引业界的音讯，报导三星电子已在硅谷新设实验室的。新的实验室，在设备处理方案部分美国分部在硅谷的总部之下运营，由三星电子设备处理方案部分首席技能官、半导体研制组织的主管Song Jae-hyeok领导。

　　在报导中，外媒还说到，三星电子新建立的这一研制实验室，将研制更先进的DRAM产品，以便他们引领全球3D存储芯片商场。

　　作为当时全球最大的存储芯片制造商，三星电子在2013年，就已在业界率先将3D笔直结构NAND闪存芯片商业化，他们也方案将3D结构用于DRAM。在上一年10月份，三星电子就曾表明，他们预备将新的3D结构用于10nm及以下制程工艺的DRAM，能大幅度的进步单颗芯片的容量，到达100G以上。

　　在三星电子上一年于日本举办的“VLSI 研讨会”上，他们宣告了一篇包括3D DRAM研究成果的论文，并供给了作为实践半导体完成的3D DRAM的具体图画。

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